Тренутно широко распрострањене методе обраде као што су сечење, брушење, полирање итд., због постојања микро-пукотина у обрађеним материјалима или недостатака квалитета у кристализацији, без обзира на то како побољшати тачност обраде и побољшати опрему за обраду, увек постоје одређена ограничења. Професор Мори Ионгзхенг са Факултета инжењерских наука Универзитета у Осаки, Јапан, предложио је нову методу обраде користећи хемијски гас, названу плазма ЦВМ методом, која је технологија која користи атомске хемијске реакције за добијање ултра-прецизних површина. Његов принцип обраде Као код јеткања плазмом, у плазми, активирани слободни радикали реагују са површином радног предмета, претварајући их у испарљиве молекуле, а обрада се остварује испаравањем гаса, а плазма се ствара под високим притиском. , у стању да генерише веома високе густине
слободних радикала, па се овим методом обраде могу постићи брзине обраде упоредиве са механичким методама обраде.
При високим притисцима, плазма је затворена у близини електрода због изузетно малог средњег слободног пута молекула гаса. Дакле, може се обрадити скенирањем електрода, О. Делови било ког облика са прецизношћу од 01μм такође могу да обрађују једнокристалну силицијумску раван брзином од 50μм/мин, а храпавост површине обрађеног радног комада може достићи 0,1 нм (Ррмс).
У наредном веку, ЦВМ технологија ће се примењивати у многим областима као што су обрада силицијумских чипова и обрада асферичних сочива за полупроводничке уређаје за експозицију. Тренутно, неки људи проучавају комбинацију ЦВМ и ЕЕМ за обраду атома као што су рендгенска огледала за синхротроне. Равна произвољна површина.